开创性突破!科学家开发基于化合物半导体的存储器:存储时间为闪存1000倍

2022-01-11 10:04:36
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最近,科学家们展示了开创性的专利计算机存储器,称为ultraram,这是迈向大规模生产的重要一步。ultraram是具有特殊性能的新型存储器。它将数据存储器(如闪存)的非易失性与工作存储器(如DRAM)的速度、能效和耐久性结合起来。为了做到这一点,它利用了复合半导体的独特特性,这种半导体通常用于LED、激光二极管和红外探测器等光子器件,但不用于数字电子,因为数字电子现在是硅的“专利”,在兰开斯特大学物理与工程系和华威大学物理系的合作下,ultraram首次在硅片上制造。由硅制成的超随机存储器是一项重大的研究进展。它克服了许多挑战,如晶格失配、从元素半导体到化合物半导体的转变等

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由于硅芯片制造业的成熟,在硅片上实现数字电子技术对其商业化非常重要
 
 
值得注意的是,硅器件上的ultraram实际上超过了先前在砷化镓化合物半导体晶片上的技术。研究人员推断,它的存储时间至少为1000年,格式化周期至少为1000万次,是闪存的100到1000倍。